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led灯是什么时候才开始真正制造的
我国于2004 年投资50 亿大力发展节能环保的半导体也就是led灯照明计划。
LED是美国工程师尼克·何伦亚克发明的，最早出现在美国。尼克·何伦亚克（Nick Holonyak Jr ，1928年11月3日—），美国工程师，发明家。
最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的光视效能约0.1流明/瓦。
谁发明了LED(发光二极管)?
尼克·何伦亚克（Nick Holonyak Jr ，1928年11月3日—），美国工程师，发明家。因其在1962年发明了第一种可见光发光二极管（LED），从而掀起了人类自爱迪生发明电灯泡以来照明史的第二次革命。因此被称为“LED之父”。
年，尼克·何伦亚克(Nick Holonyak Jr.)及其在通用电气的团队发明了发光二极管(Light Emitting Diode，LED)。1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED，当时的单价约为45美元。
何伦亚克（NickHolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。
从而广为人知。当时，开发一种蓝色LED被认为是不可能的，此前的20年间只有红色和绿色LED。2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。
霍洛尼亚柯发明了发光二极管后的第二年，他离开通用电气公司，成为伊利诺大学电气工程教授。他想通过教育培养出更多的学生，通过他们来改进和推广发光二极管的应用。
因为何伦亚克的发明后来得到了广泛的应用，所以一般称他为“发光二极管之父”，后来也获得了N多奖项。当时的LED还只能手工制造，而且每只的售价需要10美元。
LED灯什么时候发明的,那年推出市场的。
LED技术将迈向白热灯，日光灯，卤素灯的替代地位。—2010年LED灯将占世界照明市场的16%。
②1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED，当时的单价约为45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化红色LED。
年前们已经了解半导体材料可产 光线的基本知识，1962年，通电公 司的尼克何伦亚克（NickHolonyakJr.） 开发出第种实际应的可见光发光极 管。
砷化镓发明了第一个具有现代意义的LED，并于60年代面世。据说在早期的试验中，LED需要 放置在液化氮里，更需要进一步的操作与突破以便能高效率的在室温下工作。第一个商用LED仅仅只能发出不可视的红外光，但迅速应用于感应与光电领域。
三：1989年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值550nm。
第二阶段是1995年到1999年，出现了64级、256级灰度的双基色视频屏。视频控制技术、图像处理技术、光纤通信技术等的应用将LED显示屏提升到了一个新的台阶。
LED灯的发展历程
1、⑧今天，效率最高的LED是用透明衬底AlInGaP材料做的。在1991年至2001年期间，材料技术、芯片尺寸和外形方面的进一步发展使商用化LED的光通量提高了将近30倍。
2、第三阶段，LED灯具替代接受阶段。这一阶段指的是LED灯具在发展初期，主要体现出其光效高(能耗小)，寿命长的特点。因为售价高，所以在这一阶段主要为商照市场。客户有一个接受的过程，首先是使用习惯和外观上的过渡与接受。
3、发展，较早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的光视效能约0.1流明/瓦。
LED什么时候发明
年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克何伦亚克（NickHolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。
LED发光二极管最早出现在1962年，距今已有半个多世纪的发展史。发光二极管（英语：Light-Emitting Diode，简称LED） 是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件。
LED（Light Emitting Diode，发光二极管）的发明者是美国科学家尼克·霍尔尼（Nick Holonyak Jr.）。他在1962年成功发明了第一颗可见光LED，使用的是砷化镓（GaAsP）材料。因此，LED的发明地是美国。
—2010年LED灯将占世界照明市场的16%。
什么时候发明LED灯
—2010年LED灯将占世界照明市场的16%。
年白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值550nm。
LED（Light Emitting Diode，发光二极管）的发明者是美国科学家尼克·霍尔尼（Nick Holonyak Jr.）。他在1962年成功发明了第一颗可见光LED，使用的是砷化镓（GaAsP）材料。因此，LED的发明地是美国。
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